ROHMs SiC-MOSFETs der vierten Generation werden in den EV-Wechselrichtern von Hitachi Astemo verwendet

Neuauflage von Plato

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11 Januar 2023

Das japanische Unternehmen ROHM hat die Einführung seiner neuen Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs und Gate-Treiber-ICs der vierten Generation in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (EV) des japanischen Automobilteileherstellers Hitachi Astemo Ltd. angekündigt.

Insbesondere bei Elektrofahrzeugen muss der Wechselrichter, der eine zentrale Rolle im Antriebssystem spielt, effizienter gestaltet werden, um die Reichweite zu erhöhen und die Größe der Bordbatterie zu verringern, was die Erwartungen an SiC-Stromversorgungsgeräte erhöht.

ROHM gibt an, dass seine neuesten SiC-MOSFETs der vierten Generation eine verbesserte Kurzschlussfestigkeit sowie den angeblich niedrigsten Einschaltwiderstand der Branche bieten und es ermöglichen, die Reichweite von Elektrofahrzeugen durch eine Reduzierung des Stromverbrauchs um 6 % zu erhöhen Silizium-IGBTs (berechnet durch den internationalen Standard-WLTC-Kraftstoffeffizienztest), wenn sie im Hauptwechselrichter installiert sind.

Hitachi Astemo, das seit vielen Jahren fortschrittliche Technologien für Fahrzeugmotoren und Wechselrichter entwickelt, kann bereits auf eine Erfolgsbilanz auf dem immer beliebter werdenden Markt für Elektrofahrzeuge zurückblicken. Dies ist jedoch das erste Mal, dass SiC-Geräte für die Hauptwechselrichterschaltung eingesetzt werden, um die Leistung weiter zu verbessern. Ab 2025 sollen die Wechselrichter an Autohersteller geliefert werden, zunächst in Japan und dann in Übersee.

ROHM sagt, dass das Unternehmen als Lieferant von SiC-Stromversorgungsgeräten in Zukunft sein Sortiment weiter stärken und Stromversorgungslösungen anbieten wird, die durch die Kombination von Peripheriegerätetechnologien wie Steuer-ICs, die auf maximale Leistung ausgelegt sind, zur technischen Innovation in Fahrzeugen beitragen.

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Stichworte: Röhm SiC-Leistungs-MOSFET

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