Metapinnaga täiustatud fotodetektorite ja fotodioodide projekteerimine, valmistamine ja iseloomustamine, kasutades kolloidseid kvantpunkte.
Abstraktne:
"Tõhusad fotodetektorid, mida saab konkreetse spektriakna jaoks hõlpsasti konstrueerida, pakuvad suurt huvi. Siin kirjeldame metapinnaga täiustatud fotodetektorite ja fotodioodide projekteerimist, valmistamist ja iseloomustamist, kasutades kolloidseid kvantpunkte. Valmistame fotojuhte, mis on optimeeritud lainepikkuste vahemikule umbes 1550 nm, mille tundlikkus on kuni 8000 A/W ja mille müra ekvivalentvõimsus on umbes kümneid . Lisaks toodame fotodioode tundlikkusega ~5 mA/W, mis pakuvad kiiremaid reaktsioone (14 μs tõusuaeg). Kõrge tundlikkus on tingitud metapinnast, mis suurendab neeldumist 10 korda võrreldes sama paksusega õhukese kvantpunktkile ja fotovõimendust võimaldava struktuuriga. Tutvustame metapinda, et tuvastada üks kahest ortogonaalsest polarisatsioonist. Valmistatud fotojuhid töötavad madalal pingel (1–5 V), muutes need ühilduvaks komplementaarse metalloksiid-pooljuhtide (CMOS) lugemisahelaga.
Leia tehniline paber siin.
Avaldamise kuupäev: 24. jaanuar 2022
https://doi.org/10.1021/acsphotonics.1c01204
Allikas: https://semiengineering.com/metasurface-colloidal-quantum-dot-photodetectors/