ニュース: マイクロエレクトロニクス
2020年11月12日
中国の Sanan Optoelectronics Co Ltd は、子会社の Hunan Sanan が、新しい電気自動車 (NEV) 製品ラインの新しい電気自動車 (NEV) 製品ラインのために、今後数年間で 524 億 XNUMX 万米ドル相当のシリコン カーバイド (SiC) チップを供給するための調達趣意書 (LOI) 契約に署名したと述べています。自動車の戦略的パートナーです。 Hunan Sanan の SiC 技術は、中高圧プラットフォーム向けの NEV 電力システムにエネルギーを供給します。
「この戦略的パートナーとの合意は、革新的な電化体験を市場に提供し、ワイドバンドギャップ半導体の利点を活用して車両の全体的な性能を向上させるという自動車業界のコミットメントをさらに示しています」 「この契約により、お客様への SiC の長期的な供給が保証され、低炭素でスマートなモビリティの約束を実現するのに役立ちます。」
写真:長沙にある湖南省三安工場。
SiC チップは、長沙にある湖南省三安のメガ ファブで製造されます。このメガ ファブは、中国初の垂直統合型 SiC ウェーハ製造サービス プラットフォームであり、SiC 結晶、基板、エピタキシー、チップ製造、パッケージング、およびテストからの社内サプライ チェーンを提供します。 500,000枚のSiC 6インチウェーハの年間生産能力を確約。 Hunan Sanan は最近、IATF 16949 システム認証を取得しました。自動車グレードの SiC MOSFET は、戦略的パートナーの協力を得て検証されており、2024 年に生産が開始される予定です。Sike Semiconductor は、Hunan Sanan と Li Auto が共同で設立した会社です。も2024月に正式に建設を開始し、2.4年に生産を開始する予定で、年間XNUMX万個のハーフブリッジSiCパワーモジュールの生産能力を計画しています。
Sanan IC、ワイドバンドギャップ パワー半導体のファウンドリ プラットフォームを強化
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- 情報源: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2022/nov/hunan-sanan-211122.shtml
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