Trg naprav iz silicijevega karbida bo do leta 4 presegel 2026 milijarde dolarjev

Novice: Microelectronics

23 julij 2021

Zaradi agresivnih prevzemov, vertikalne integracije in ogromnih zneskov naložb se pričakuje, da bo trg naprav iz silicijevega karbida (SiC) do leta 4 presegel 2026 milijarde dolarjev, napoveduje podjetje za tržne raziskave in strateško svetovanje Yole Développement v četrtletnem pregledu trga Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor, Q2-2021 .

V zadnjem desetletju so za svetovno areno SiC značilne konsolidacija, vertikalna integracija, strateška partnerstva in denar. Japonski SiC pionir Rohm je tržne aktivnosti začel že leta 2009, ko je kupil nemškega proizvajalca SiC rezin SiCrystal, od takrat pa se dinamični tržni razvoj ni ustavil.

Rohm je pravkar dokončal gradnjo 190 milijonov USD vrednega obrata za proizvodnjo rezin SiC in naprav v Chikugu na Japonskem. Proizvodnja naj bi se začela prihodnje leto, pri čemer pričakujejo do petkratno povečanje proizvodnje.

Rohm skoraj ni sam. Tako kot njegov japonski konkurent je ameriški Cree okrepil svoj položaj vodilnega dobavitelja SiC materialov in naprav ter leta 2018 utrl pot za Wolfspeed Power & RF spin-off. Po napovedi naložbe v višini 1 milijarde USD leta 2019 je Wolfspeed izdelal 200 mm rezine SiC. obrat v Mohawk Valleyju v New Yorku dobro poteka, proizvodnja rezin in naprav, primernih za uporabo v avtomobilski industriji, pa naj bi se začela leta 2022.

Na tej poti se naložbe v SiC povečujejo s strani industrijskih akterjev daleč naokoli, pri čemer mnoga podjetja postavljajo proizvodne obrate v Aziji, ki bodo ta dinamični trg samo še spodbudili, pravi Yole. Aprila letos je ameriški dobavitelj SiC rezin II-VI Inc potrdil, da je vzpostavil proizvodno linijo za končno obdelavo rezin za SiC substrate v mestu Fuzhou na Kitajskem, da bi v naslednjih petih letih povečal svojo celotno proizvodno zmogljivost SiC substratov do desetkrat. Ti načrti vključujejo proizvodnjo 200 mm SiC rezin in poudarjajo pomen velikega kitajskega trga za II-VI.

Nemški Infineon je prav tako predstavil svojo namero za povečanje proizvodnje SiC epitaksialnih rezin po podpisu dveletne pogodbe (vključno z možnostjo podaljšanja) z enim od vodilnih proizvajalcev SiC epitaksialnih rezin v industriji Showa Denko iz Japonske. Partnerji bodo razvili in dobavili SiC epiwaferje, namenjene nastajajočim aplikacijam močnostne elektronike. Po prevzemu podjetja Siltectra leta 2018 namerava Infineon v prihodnjih letih povečati tudi rezanje rezin iz SiC rezin in rezin.

Kitajska se premika

Ker pa se naložbe po vsem svetu povečujejo, so oči industrije nedvomno uprte v Kitajsko, pravi Yole. V zadnjih nekaj letih so se številni kitajski igralci pospešeno pripravljali na tekmovanje na svetovnem odru SiC.

Na primer, junija je Hunan Sanan Semiconductor, hčerinska družba Sanan Optoelectronics, odprla prvo kitajsko vertikalno integrirano proizvodno linijo SiC, ki zajema celotno dobavno verigo od rasti kristalov do napajalnih naprav, pakiranja in testiranja. Ta mogočni objekt, vreden 2.5 milijarde dolarjev, je bil zgrajen v manj kot enem letu in lahko proizvede do 30,000 6-palčnih SiC rezin na mesec. In prav zdaj Hunan Sananovo sestrsko podjetje Sanan IC proizvaja 650 V SiC diode in kvalificira vrsto naprav na osnovi SiC, vključno z 1200 V diodami ter 600 V in 1200 V MOSFET-ji.

Istočasno nešteto kitajskih igralcev SiC bodisi gradi ali pa je objavilo načrte za gradnjo proizvodnih tovarn. V le nekaj od številnih primerov HDSC, GZSC in Tankeblue vlagajo vsak več kot 100 milijonov USD v gradnjo obratov za rezine SiC.

Vendar niso samo proizvajalci rezin tisti, ki vlagajo milijarde juanov v proizvodnjo SiC, pravi Yole. Kitajski proizvajalci originalne opreme so prav tako vlagali v dobavno verigo, da bi zagotovili prihodnjo zmogljivost rezin.

Na primer, leta 2019 je Huawei prevzel 10-odstotni delež v proizvajalcu materialov SiC SICC, ki namerava v naslednjih petih letih vstopiti na borzo in zgraditi obrat v Šanghaju za razširitev zmogljivosti. Poročila iz industrije prav tako kažejo, da je kitajska večnacionalna družba povečala svoj registrirani kapital v proizvajalcu SiC epiwafer Tianyu Semiconductor s skoraj 14 milijonov USD na nekaj več kot 15 milijonov USD. Oba razvoja signalizirata Huaweijev jasen namen, da se tesneje vključi v dobavno verigo SiC.

Podobno je kitajski proizvajalec originalne opreme in avtomobilov BYD nedavno potrdil načrte za zbiranje približno 400 milijonov dolarjev z IPO svoje hčerinske družbe BYD Semiconductor. Pričakuje se, da bodo ta sredstva vložena v posel s polprevodniki, ki vključuje SiC rezine, IGBT-je in mikrokontrolerje. Načrti vključujejo naložbo nekaj več kot 100 milijonov USD v linijo za proizvodnjo rezin SiC z mesečno proizvodno zmogljivostjo 20,000 rezin, ki bo namenjena trgom električnih vozil.

evropski razvoj

Kljub temu, ko igralci iz ZDA in Azije hitijo z gradnjo novih proizvodnih linij SiC, se v Evropi odvijajo zanimivi dogodki. Novembra 2019 se je francoski proizvajalec substratov Soitec povezal z ameriškim proizvajalcem opreme Applied Materials, da bi v francoski CEA-Leti namestil pilotno linijo substratov SiC.

Tukaj so partnerji razvijali substrate, izdelane iz SiC, ki temeljijo na Soitecovi tehnologiji SmartCut, ki jo je uvedel CEA-Leti in prenaša kristalne tanke plasti iz substrata donatorja na nosilno rezino. Soitec je pred kratkim najel izvršnega direktorja CEA-Leti Emmanuela Sabonnadièreja za komercializacijo tega programa.

Premik k združitvi Sabonnadièrejevega zapletenega znanja o evropskih dobavnih verigah SiC s potencialom SmartCuta za zmanjšanje stroškov rezin bo verjetno del novega načrta za izgradnjo trdnega evropskega ekosistema. Od prevzema švedskega proizvajalca SiC rezin Norstel leta 2019 ni več skrivnost, da je vodilni evropski proizvajalec SiC rezin STMicroelectronics močno osredotočen na interno proizvodnjo SiC rezin, da zmanjša svojo odvisnost od zunanjih virov.

Je morda na poti kakšno prihodnje zavezništvo? Če je tako, kako bi se evropski ekosistem SiC razvijal v prihodnjih letih? Veliko vprašanj se poraja, a eno je gotovo, meni Yole; industrija dinamičnega SiC-ja se še ne bo kmalu umirila.

Oglejte si povezane izdelke:

Trg naprav iz silicijevega karbida raste s 30 % CAGR na več kot 2.5 milijarde USD leta 2025

Tags: Močna elektronika SiC

Obiščite: www.i-micronews.com

Vir: http://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/jul/yole-230721.shtml