佛罗里达州朱皮特（PRWEB） 2021 年 7 月 22 日
计划于 4 年第 2021 季度播出的获奖系列剧《与泰德·丹森的进步》将重点关注闪存架构的最新突破。
闪存最初是单级单元 (SLC) 技术，现已发展到目前基于 3D NAND 技术的四级单元 (QLC)。 随着每一代闪存容量越来越大，成本越来越便宜，但它的速度也明显变慢。 QLC NAND 的这一瓶颈阻碍了它在需要最苛刻性能水平的应用程序中的使用。
进展将重点关注 NEO SEMICONDUCTOR，它是 2020 年闪存峰会最具创新性闪存初创公司奖的获得者。 观众将了解 NEO SEMICONDUCTOR 的 X-NAND 架构如何通过使用现有页面缓冲区大小增加阵列平面来解决瓶颈，从而增加读写操作的并行性，从而实现 QLC 密度和 SLC 速度。
听取该领域专家的意见，观众将了解 X-NAND 如何提供高速、高密度和低成本的数据存储，以及是什么使其成为从 5G 到物联网和人工智能应用的一切关键技术。
“我们团队的愿景是让高速 NAND 闪存超越当今的可能性，并设计下一代架构，以更小的占地面积实现更高水平的性能，同时降低冷却和电源效率，”创始人兼创始人 Andy Hsu 说。 NEO SEMICONDUCTOR 首席执行官。 “我为我们的专利技术所能取得的成就感到非常自豪，因为它可以推动下一波要求苛刻的客户应用，并在制造高速数据存储解决方案方面提供新的经济水平。”
该展会将探索 NEO SEMICONDUCTOR 的创新如何助力全球最大的闪存硅制造商在缩小内存芯片尺寸方面实现巨大飞跃，同时在不影响 NAND 闪存生产过程中的其余知识产权的情况下提高性能。
“X-NAND 架构是 3D NAND 闪存的重大突破。 它使阵列能够分为 16-64 个平面，而不是传统的 4 个平面，从而提供扩展的超高速性能路径，同时零制造成本增加，”高级制作人 DJ Metzer 说。
关于 NEO SEMICONDUCTOR：
NEO SEMICONDUCTOR 正在设计 NAND 闪存的未来。 该公司于 2012 年由 Andy Hsu 和一支由先驱建筑师、科学家和工程师组成的创新团队在加利福尼亚州圣何塞创立。 2018年，公司以全球最快的3D NAND架构X-NAND取得突破。 这种创新设计可以在 TLC 和 QLC 密度下达到 SLC 闪存的速度。 X-NAND 使下一代闪存能够提高性能、减少占用空间并实现电源和冷却效率，同时降低制造成本。 欲了解更多信息，请访问： http://www.neosemic.com.
关于进展和DMG Productions：
进步系列是一个基于信息的教育展览，针对许多行业和经济体的最新发展。 先进技术以当今消费者和业务专业人士所面临的最先进的解决方案和重要问题为特色，专注于前沿发展，并将这些信息带给公众，以期启发技术和创新如何继续改变我们的世界。
在各个领域的专家的支持下，DMG Productions致力于教育和进步，并始终如一地制作观众和网络都依赖的无商业广告的教育节目。
欲了解更多信息，请访问：AdvancementsTV.com 或致电 DJ Metzer 866-496-4065。
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