ROHM 的第四代 SiC MOSFET 将用于 Hitachi Astemo 的 EV 逆变器

新闻： 微电子

11，2023

日本罗姆 (ROHM) 宣布在日本汽车零部件制造商 Hitachi Astemo Ltd. 生产的电动汽车 (EV) 逆变器中采用其新型第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 和栅极驱动器 IC。

特别是对于EV，作为驱动系统核心的逆变器需要提高效率，以延长续航里程和减小车载电池的尺寸，从而增加了对SiC功率器件的期望。

ROHM 表示，其最新的第四代 SiC MOSFET 具有改进的短路耐受时间以及据称业界最低的导通电阻，从而可以通过将功耗降低 6% 来延长电动汽车的续航里程安装在主逆变器中的硅 IGBT（根据国际标准 WLTC 燃油效率测试计算得出）。

日立 Astemo 多年来一直致力于开发汽车电机和逆变器的先进技术，在日益流行的电动汽车市场上已经取得了良好的成绩。 不过，这是首次将SiC器件用于逆变器主电路，进一步提升性能。 这些逆变器计划从 2025 年开始供应给汽车制造商，从日本开始，然后扩展到海外。

ROHM 表示，今后作为 SiC 功率器件的供应商，将继续加强产品阵容，通过结合旨在最大限度提高性能的控制 IC 等周边器件技术，提供有助于车辆技术创新的功率解决方案。

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ROHM 推出第四代 SiC MOSFET

标签： 罗门哈斯 SiC功率MOSFET

访问： www.hitachiastemo.com/en

访问： www.rohm.com/web/global/sic-mosfet

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• Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jan/rohm-110123.shtml